Уже несколько лет ходят слухи о разработке новых видов компьютерной памяти, однако до сих пор эти проекты оставались на уровне лабораторных экспериментов или, в лучшем случае, штучного производства. К счастью, ситуация постепенно начинает меняться. Компания Everspin, занимающаяся разработкой магниторезистивной памяти, объявила о начале поставок 64-мегабитных модулей. Ранее максимальный объём выпускаемых ими чипов составлял лишь 16 мегабит, причём технология MRAM не позволяла существенно увеличивать плотность компоновки, поскольку это вызывает чрезмерное возрастание тока записи. В новых модулях используется технология переноса спинового момента (Spin-transfer torque), когда для смены ориентации поля в магнитном материале используется не наложение внешнего магнитного поля, а протекающий ток, в котором преобладают электроны с нужным направлением спинов. Это позволило обойти проблему увеличения плотности чипов.
Новые модули соответствуют стандарту DDR3, что позволяет использовать их как для создания SSD-дисков, так и в DIMM-модулях оперативной памяти. Впрочем, хотя скорость работы у них достаточно высокая (до 3,2 Гб/с), время доступа пока ещё хромает и превышает таковое у обычной оперативной памяти примерно на порядок, так что вряд ли подобная конфигурация получит широкое распространение.
Конечно, на данном этапе память MRAM выглядит недостаточно конкурентоспособной по сравнению с NAND Flash. Плотность чипов ещё слишком мала, стоимость крайне высока (примерно в 50 раз выше, чем у NAND), энергопотребление тоже не блещет (в 5 раз больше), но есть у MRAM и сильные стороны, такие как очень высокая производительность и низкий износ ячеек при их перезаписи. В любом случае, Everspin полна оптимизма и планирует в ближайшие годы добиться гигабитной плотности упаковки с использованием 20 нм технологии и даже рассматривает возможность замены новой памятью привычной всем DRAM-оперативки.
Материалы:
Автор: CaptainFlint
