Введение
По представлениям большинства людей вся современная электроника основана на использовании электрического тока, т.е. направленного движения электронов, ну или переноса заряда. В любой микросхеме огромная куча электронов трудится на наши блага. Они переносят сигналы, они хранят в памяти драгоценные для нас нули и единицы, делают все работу, чтобы наша жизнь была удобной и простой. Но помимо переноса заряда электроны обладают еще одним важнейшим свойством – спином. И это свойство вовсю эксплуатирует спинтроника.
Что такое спинтроника?
Спинтроника – научно-техническое направление, ориентированное на создание устройств, в которых для физического представления информации кроме заряда электрона используется и его спин. Спинтроника — устоявшийся термин, но существуют разные его толкования: электроника переноса спина (spin transport electronics), электроника, основанная на спине (spin-based electronics), или просто спин-электроника (spin-electronics).
Впервые термин «спинтроника» был использован в совместном сообщении Лабораторий Белла (да-да, тех самых Bell Labs) и ученый Йельского университета, датированного 30.07.1998. В нем впервые прозвучала идея использовать единичные атомы для хранения битов информации, а сами биты хранить в виде спинов электрона.
Вот везде я тут говорю, спин да спин, а что это?
Спин (от англ. spin – вращение, верчение) – собственный момент количества движения электрона не связанный с его движением в пространстве. Упрощая немного, спин можно представить как вращение электрона вокруг своей оси.
Вспомним немного математики и физики.
В классической физике у частицы, механический момент количества движения (или как еще говорят, в момент импульса), равен:
r – радиус-вектор частицы;
p – вектор импульса частицы.
При p = 0, момент импульса классической частицы M = 0. У электрона же при p = 0, M ≠ 0.
У электрона спин на может принимать два значения: 
Рис. 1. Спины электронов
Вообще спин измеряется в единицах h (постоянной Планка), и говорят, что спин равен 
. Со спином связан собственный магнитный момент электрона.
Я думаю, что кучки математических знаков выше хватит, чтобы помучать немного читателей. А раз так, то не будем больше использоваться формулы.
В отличие от классических зарядов, создающих магнитный момент только при наличии их тока (как, например, в соленоиде), электрон имеет магнитный момент при нулевом импульсе. Магнитным спином обладают не только электроны, но и некоторые другие элементарные частицы, а также ядра некоторых атомов.
В спинтронных эффектах используются свойства ферримагнитных материалов. Это материалы, в состав которых входят атомы, обладающие магнитным моментом (например, Fe – железо, Со –кобальт, Ni – никель), причем при температуре ниже некоторой критической (температура Кюри), магнитные моменты атомов упорядочены относительно друг друга. При параллельном расположении спинов материалы называют ферромагнетиками, а при антипараллельном – антиферромагнетики.
В 1989 г. были исследованы структуры, состоящие из ферромагнитных и немагнитных слоев. Изучалась их проводимость. Взглянем на рисунок:
Рис.2. Трехслойная ферромагнитная структура
Как видно из рисунка, обе структуры состоят из трех слоев: ферромагнитных – с краев структуры и немагнитного слоя в середине. Реальным примером таких структур могут быть Fe-Cr-Fe (железо-хром-железо) или Co-Cu-Co (кобальт-медь-кобальт). Причем ширина немагнитного слоя составляет порядка 1 нм, а точнее ширина слоя должна быть меньше длины свободного пробега электрона, чтобы не было рассеяния и потери спина при его, электрона, движении. Проводимость в такой структуре возникает только в том случае, если намагниченности крайних слоев однонаправленны, что видно на правом рисунке. В противном же случае мы получаем «металлический изолятор».
И как это относится к HDD?
Смею верить, что всем, дочитавшим до этого места, не нужно рассказывать, что такое жесткий диск. Так как же вся жуть, приведенная выше, относится к жестким дискам? С помощью показанных выше принципов на наши с вами жесткие диски записывается информация. Представим себе расчлененный на куски HDD так, что от него остались только записывающая/считывающая головка да блин с данными. Примерно так, как на рисунке. Художник из меня аховый, поэтому я делаю все схематично.
Рис.3. HDD
Интерес представляет в рамках статьи только записывающая/считывающая головка. Я специально ее «позолотил» желтой краской (как в том курьезе с Петькой и Василием Ивановичем). Вообще, это не одно устройство в головке, а аж целых два: записывающая часть и считывающая часть. Взглянем на записывающую часть поближе:
Рис.4. Считывающая головка
Как видно, головка состоит из четырех слоев: железного, медного, кобальтового, и антиферромагнетика АФМ. АФМ слов, или как его еще называют, обменный слой, предназначен для фиксации магнитного поля второго слоя. Второй слой называется фиксирующим и у нас он сделан из кобальта. В нем магнитное поле всегда направлено в одну сторону. Третий слой – проводящий, обычно из меди, служит для разделения ферромагнитных слоев. Последний слой – чувствительный – тоже выполнен из ферромагнетика. В отличие от фиксирующего, направление его магнитного поля зависит от внешнего поля – поля ячейки. Ячейка жесткого диска содержит один бит информации. В зависимости от ориентации поля ячейки изменяется ориентация поля в чувствительном слое. Если ориентации полей в чувствительном и фиксирующем слоях совпадают, то ячейка, согласно рассмотренным выше принципам, увеличивает свою проводимость, т.е. начинает проводить ток. Если же ориентации полей противоположны, то получаем «металлический изолятор». Такой эффект изменения проводимости (ну или сопротивления, ведь это просто обратные величины) получил название GMR – Giant Magnetoresistive – эффект гигантской магнитопроводимости. GMR-эффект впервые был исследован в лабораториях IBM в конце 80х годов, но для его промышленной реализации потребовалось почти 10 лет.
Очень кружит голову тот факт, что такие сложные технологии окружают нас повсеместно. Продолжение следует.
Автор: milssky
