Доброй пятницы!
Компания Samsung запускает решение следующего поколения — новый чип мобильной памяти высокой плотности LPDDR4, тем самым открывая дверь в эру мобильной DRAM-памяти емкостью 4 ГБ для качественно нового уровня производительности мобильных устройств. Массовое производство первых в индустрии 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4 по 20-нм тех. процессу уже стартовало. Новый чип мобильной памяти позволит продлить время работы аккумулятора и ускорить загрузку приложений на мобильных устройствах с большим экраном и высоким разрешением изображения.
8-Гбит LPDDR4 чип обеспечивает вдвое большую производительность и плотность по сравнению с 4-Гбит LPDDR3 чипами класса 20-нм. 4-ГБ модуль LPDDR4, созданный на основе нового чипа, стал лауреатом премии CES Innovation Awards 2015 в категории встраиваемых технологий. Получив эту награду, Samsung стала единственной компанией, которая выигрывает ее в течение трех лет подряд с решениями мобильной DRAM-памяти. Ранее наград CES Innovation Awards удостоились 2-ГБ LPDDR3 и 3-ГБ LPDDR3 от Samsung — в 2013 и 2014 годах соответственно.
Благодаря скорости ввода/вывода данных до 3200 мегабит в секунду (в два раза быстрее, чем у стандартных DDR3 DRAM для ПК), новый 8-Гбит чип LPDDR4 может поддерживать запись и воспроизведение видео в формате UHD и непрерывную съемку в высоком разрешении (более 20 мегапикселей). Рабочее напряжение нового чипа LPDDR4 было снижено на 1,1 В относительно чипов предыдущего поколения LPDDR3, что делает его решением мобильной памяти с наименьшим потреблением энергии, доступным для смартфонов и планшетов на сегодняшний день. К примеру, при использовании 2-ГБ модуля на основе 8-Гбит LPDDR4 вы можете сэкономить до 40% энергии по сравнению с 2-ГБ модулем на основе 4-Гбит LPDDR3, благодаря низкому рабочему напряжению и более высокой скорости обработки информации. Применив новую технологию Swing-terminated logic (LVSTL) для передачи сигналов ввода/вывода, Samsung удалось снизить энергопотребление чипа LPDDR4 и обеспечить проведение высокочастотных операций при низком напряжении для оптимальной энергоэффективности.
В этом месяце компания Samsung начала выпуск 2-ГБ LPDDR4 и 3-ГБ LPDDR4 модулей на основе 8-Гбит и 6-Гбит LPDDR4 соответственно. Эти решения уже могут приобрести поставщики процессоров и производители мобильных устройств по всему миру, а в начале 2015 года Samsung начнет производство модулей LPDDR4 емкостью 4 ГБ.
Samsung планирует увеличить объем производства для своей линейки 20-нм DRAM чипов мобильной памяти, в том числе нового чипа 8 Гбит LPDDR4 и недавно запущенного 8-Гбит чипа DRAM-памяти для серверов, что позволит компании удовлетворять актуальные потребности клиентов, а также способствовать ускорению темпов роста мирового рынка DRAM-решений высокой плотности.
Автор: samsung_ru
