Samsung Electronics продолжает активно усовершенствовать свои решения для мобильных устройств следующего поколения. Несколько дней назад стало известно, что компания начала массовое производство первой в отрасли двухгигабайтной памяти третьего поколения с низким энергопотреблением и удвоенной скоростью передачи данных (LPDDR3). При ее создании использовался 30-нанометровый техпроцесс. 18 сентября новое решение было продемонстрировано на Samsung Mobile Solution Forum.
Samsung начала массовое производство самых передовых на сегодня мобильных чипов DRAM лишь спустя десять месяцев после того, как в октябре 2011 года были представлены первые 30-нм образцы памяти LPDDR2 объемом 2 ГБ. Новые двухгигабайтные LPDDR3 упакованы в один компактный корпус и используют четыре LPDDR3 чипа, сложенных вместе. Новое решение будет очень кстати для быстрых процессоров, дисплеев с высоким разрешением и 3D-графики в планшетах и смартфонах нового поколения.
Новая мобильная DRAM может передавать данные со скоростью до 1600 мегабит в секунду на контакт, что примерно на 50% быстрее показателей DRAM предыдущего поколения LPDDR2. Суммарная пропускная способность новой памяти составляет 12,8 гигабит в секунду, что позволяет проигрывать FullHD видео на смартфонах и планшетах в режиме реального времени, причем, на экранах больше четырех дюймов.
Автор: flyant
