Устройства на основе новой памяти 3D XPoint разрабатывались совместно с компанией Micron и будут поставляться под брендом Optane (не путать с октановым числом) в 2016 году. В линейке ожидаются варианты как для датацентров, так и для ноутбуков, в форм-факторах M.2 и U.2, причем как с интерфейсом SATA, так и с DDR4. У компании Intel пока нет планов по лицензированию технологии каким-либо иным производителям, по их оценкам, мощностей Micron на данный момент хватит для обеспечения рынка.
Первый прототип Optane, показал производительность в IOPS в 5-7 раз быстрее одного из самых производительных решений сегодняшнего дня, Intel DC P3700. Интересная особенность состоит в том, что производительность при разных значениях очереди (8 и 1) отличалась не так сильно, как в случае с NAND. Это говорит о том, что задержки в 3D XPoint гораздо ниже, чем во Flash памяти, и фактически приближаются к DRAM. Особенно хорошо это будет ощущаться при операциях записи - дело в том, что в отличие от NAND, тут она производится не блоками, адресация кратна ширине шины, фактически как в DRAM.
Обновленная память Optane по замыслу Intel должна занять промежуточное состояние между DRAM и Flash, значительно превосходя по производительности последний, однако, в несколько раз не дотягивая до первой. Браян Кржанич, делавший доклад, особо подчеркнул, что для того, чтобы полностью воспользоваться всеми преимуществами быстрой энергонезависимой памяти, понадобится сильно изменять архитектуру как самих компьютеров, так и операционных систем.
Хочется отдельно упомянуть то, что память 3D XPoint производится по технологии 20 нм, то есть, фактически самой передовой на данный момент. К сожалению, никаких других технических подробностей пока неизвестно, что же до стоимости хранилищ на технологии Optane, то по словам представителя компании “она тоже ожидается где-то между DDR-4 и традиционным SSD”. Неплохой такой разброс, ну, что же, будем надеятся, что цена все же будет ближе к SSD.