Японские исследователи Университета Тохоку (Tohoku University) разработали первую в мире встраиваемую память, которая по скорости такая же, как и современные SRAM-чипы, но при этом является энергонезависимой. Все это стало возможным благодаря магнитному туннельному переходу (MTJ — magnet tunnel junction), который активно исследуется в этом Университете.
MJT включает в себя два тонких слоя магнитных материалов, которые разделены диэлектрической плёнкой. Электрический ток проходит по диэлектрической плёнке и меняется в зависимости от относительного направления спинов в двух магнитных материалах. Состояние сохраняется даже после прекращения подачи напряжения.
Современные чипы тличаются высокими токами утечки, что приводит к снижению энергоэффективности. Новый разработанный чип 1-Мбит отличается низким энергопотреблением и в будущем сможет легко заменить широко распространённую SRAM память. Образец создан на основе 90-нм КМОП-техпроцесса. В режиме «ожидания» чип потребляет 0 Вт мощности.
