Оптимальный баланс между производительностью, энергопотреблением и стоимостью полупроводниковых изделий — цель, к которой стремятся производители. По очевидным причинам для микросхем разного назначения этот баланс достигается разным соотношением факторов. В компании Globalfoundries утверждают, что представленная вчера первая в отрасли 22-нанометровая технологическая платформа, построенная на использовании полностью обедненного кремния на изоляторе (FD-SOI), оптимальна для выпуска микросхем для интернета вещей, мобильных устройств, коммуникационного и сетевого оборудования.
Как утверждается, платформа 22FDX обеспечивает уровни производительности и энергопотребления, близкие к FinFET, при стоимости, сравнимой с 28-нанометроывми планарными технологиями.
В приложениях, где нет острой необходимости в предельной производительности транзисторов FinFET, 22FDX обеспечивает выигрыш в стоимости и энергопотреблении.
Полупроводниковые приборы, изготовленные по новой технологии, рассчитаны на напряжение питания 0,4 В, за счет чего уменьшается энергопотребление и тепловыделение, что в общем случае приводит к уменьшению конструкций. По площади кристалла 22FDX обеспечивает выигрыш на 20% по сравнению с 28-нанометровой технологией. Немаловажно, что для новой технологии надо примерно вдвое меньше масок, чем для FinFET с иммерсионной литографией.
Технология 22FDX освоена на дрезденском предприятии Globalfoundries, работающем с 300-миллиметровыми пластинами. Программными настройками можно получить четыре варианта техпроцесса для разных сегментов продукции.
22FD-ulp — для микросхем для массовых смартфонов. Обеспечивает снижение энергопотребления на 70% по сравнению с 28-нанометровой технологией HKMG.
22FD-uhp — для микросхем для сетевого оборудования с интеграцией аналоговых цепей. Возможно повышение напряжения питания до 0,95 В и специализированные слои металлизации.
22FD-ull — для микросхем для интернета вещей и носимой электроники со сверхмалым энергопотреблением.
22FD-rfa — для радиочастотных аналоговых цепей, например, приемопередатчиков LTE-A, Wi-Fi и миллиметровых радаров.
Уже доступны соответствующие средства разработки. Ожидается, что пробный выпуск продукции начнется во второй половине 2016 года.
Источник: Globalfoundries
