Компания SK Hynix предварила анонс 3D-карт AMD Radeon R9 Fury X сообщением о том, то она уже отгружает серийно выпускаемую память High Bandwidth Memory первого поколения (HBM1), используемую в этих 3D-картах.
Память HBM1 изготавливается по технологии 20-нанометрового класса, используемой при выпуске памяти типа DRAM. Переход к памяти HBM1 обеспечивает значительное увеличение производительности при одновременном снижении энергопотребления по сравнению с памятью GDDR5. По оценке SK Hynix, пропускная способность 1024-разрядной шины равна 128 ГБ/с, а выигрыш по потребляемой мощности составляет 50%.
В конструкции HBM1 используется технология межслойных соединений TSV и микроскопические шариковые выводы, связывающие четыре кристалла DRAM с одним базовым. Плотность такого компонента равна 1 ГБ. Компоненты рассчитаны на монтаж на объединительной плате с GPU, CPU, ASIC или FPGA. В случае AMD Radeon R9 Fury X используется четыре компонента, так что пропускная способность подсистемы памяти составляет 512 ГБ/с. Напряжение питания памяти — 1,2 В.
Источник: SK Hynix
