Английская компания sureCore, специализирующаяся на разработке объектов интеллектуальной собственности для интегральных микросхем, представила IP-ядро встраиваемой памяти SRAM со сверхнизким энергопотреблением. Оно рассчитано на выпуск по 28-нанометровой технологии FDSOI и уже опробовано в кремнии. Областью применения памяти названы приложения, где востребовано длительное время автономной работы.
Память рассчитана на работу при напряжении питания 0,7-1,2 В. По сравнению с доступной сейчас встраиваемой памятью SRAM она позволяет сэкономить более 50% энергии в динамическом режиме. Статическое энергопотребление меньше на 35%. Разработчик подчеркивает, что столь существенная экономия энергии достигается ценой незначительного (на 10%) увеличения площади, занимаемого на кристалле.
Это первый продукт sureCore. В планах компании на этот год значится выпуск памяти SRAM со сверхнизким энергопотреблением, рассчитанной на выпуск по 40-нанометровой технологии CMOS, а в перспективе — и по 28-нанометровой технологии CMOS.
Остается добавить, что встроенная память SRAM является одним из ключевых компонентов микроконтроллеров и однокристальных систем.
Источник: sureCore
