Компания SK Hynix сообщила о первом использовании памяти LPDDR4 (Low Power DDR4) плотностью 8 Гбит в смартфоне неназванного производителя. Память выпускается SK Hynix по техпроцессу 20-нанометрового класса. О выпуске микросхем памяти LPDDR4 плотностью 8 Гбит SK Hynix сообщила немногим более года назад. К достоинствам этой памяти относится максимальная плотность, высокая скорость и низкое энергопотребление.
Говоря более конкретно, микросхемы плотностью 8 Гбит поддерживают передачу данных со скоростью 3200 Мбит/с в расчете на линию, работая при напряжении питания 1,1 В, тогда как широко используемая сейчас память LPDDR3 характеризуется скоростью 1600 Мбит/с и напряжением питания 1,2 В.
По неофициальным данным, новая память нашла применение в смартфоне LG G Flex2.
Ожидается, что широкое распространение аппаратов с 4 ГБ памяти, в которых используются чипы плотностью 8 Гбит, начнется в этом году, а в будущем году их будет выпускаться больше, чем моделей с 3 ГБ памяти.
Источник: SK Hynix
