Кремниевые полупроводниковые приборы, изготавливаемые по обычной технологии CMOS, не годятся для коммутации сверхвысокочастотных сигналов, поэтому производители вынуждены преимущественно использовать коммутаторы, в которых используется другой полупроводник — арсенид галлия (GaAs). Однако специалистам Peregrine Semiconductor удалось создать кремниевый коммутатор PE42524, рассчитанный на изготовление по технологии UltraCMOS, являющейся разновидностью технологии SOI («кремний на изоляторе»), который работает на частотах от 10 до 40 ГГц. Кстати, по данным производителя, это первый кремниевый коммутатор SOI, работающий на такой высокой частоте.
PE42524 — однополюсный ключ на два положения. Как утверждается, он не уступает приборам на базе GaAs по линейности, времени установления, степени защиты от электростатических разрядов. К другим достоинствам PE42524 относится очень высокая развязка между выходами и малое вносимое затухание. На частоте 30 ГГц значения этих параметров равны 47 и 2,2 дБ соответственно. Время переключения PE42524 равно 225 нс, время установления — 840 нс. Все это делает новый коммутатор хорошо подходящим для использования в измерительных приборах, оборудовании связи, радиолокаторах.
Уже доступны как ознакомительные образцы, так и серийные изделия. Цена PE42524 равна $40 за штуку в партии из 1000 штук.
Источник: Peregrine Semiconductor
