По словам источника, компания Samsung подтвердила, что смартфон Galaxy S6 станет первым смартфоном с 4 ГБ оперативной памяти.
Подтверждением считается сообщение южнокорейского гиганта о начале выпуска по технологии 20-нанометрового класса первых в отрасли чипов мобильной памяти LPDDR4 плотностью 8 Гбит. В сообщении сказано, что компания уже начала поставки микросхем LPDDR4 объемом 2 и 3 ГБ, в которых используются чипы плотностью 8 и 6 Гбит соответственно, а в начале 2015 года производитель рассчитывает приступить к поставкам микросхем объемом 4 ГБ.
Вполне возможно, что в Samsung Galaxy S6 будет использоваться именно эта память. Ее высокая производительность позволяет вести запись и воспроизведение видео 4К, а также серийную фотосъемку с разрешением более 20 Мп. Низкое напряжение питания — всего 1,1 В — делает новую память хорошо подходящей для мобильного устройства.
Напомним, по другим данным Samsung Galaxy S6 получит 3 ГБ памяти. Впрочем, учитывая, что Samsung Galaxy S6 будет выпускаться в двух вариантах — с SoC Qualcomm Snapdragon 810 и Samsung Exynos 7420, можно предположить, что объем памяти у этих вариантов тоже может различаться.
Источник: WCCFtech.com
