Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в отрасли чипов мобильной памяти LPDDR4 плотностью 8 Гбит. Они выпускаются по технологии 20-нанометрового класса (от 20 до 30 нм). Память LPDDR является наиболее распространенным типом оперативной памяти в мобильных устройствах.
По плотности и производительности новинка вдвое превосходит чипы LPDDR3 плотностью 4 Гбит, выпуск которых по технологии 20-нанометрового класса был освоен ранее. Используя кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит, можно выпускать микросхемы LPDDR4 объемом 4 ГБ.
Скорость передачи данных, обеспечиваемая новой памятью, достигает 3200 Мбит/с, что вдвое выше скорости типичной памяти DDR3, установленной в ПК Это позволяет решать такие требовательные к быстродействию задачи, как запись и воспроизведение видео 4К или серийная съемка с разрешением более 20 Мп.
Напряжение питания памяти LPDDR4 снижено до 1,1 В, что делает ее памятью с наименьшим энергопотреблением, предназначенной для смартфонов, планшетов и сетевого оборудования. Для примера: микросхема объемом 2 ГБ, внутри которой находятся кристаллы LPDDR4 плотностью 8 Гбит, изготовленные по технологии 20-нанометрового класса, экономит до 40% энергии по сравнению с микросхемой того же объема, внутри которой находятся кристаллы LPDDR4 плотностью 4 Гбит.
Дополнительно уменьшить энергопотребление и одновременно обеспечить работу с высокой скоростью при низком напряжении питания позволило использование для линий ввода-вывода фирменной технологии LVSTL (low-voltage swing-terminated logic).
Компания Samsung уже начала поставки микросхем LPDDR4 объемом 2 и 3 ГБ, в которых используются чипы плотностью 8 и 6 Гбит/с соответственно. К поставкам микросхем объемом 4 ГБ производитель обещает приступить в начале 2015 года.
Источник: Samsung Electronics
