Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первой в отрасли флэш-памяти типа NAND с вертикальной объемной компоновкой (3D V-NAND), способной хранить три бита в одной ячейке. Эта флэш-память предназначена для использования в твердотельных накопителях.
Новая память относится ко второму поколению памяти Samsung V-NAND. В ячейках V-NAND используется технология CTF (Charge Trap Flash, память с ловушкой заряда). Массивы ячеек расположены слоями один поверх другого. В каждом чипе вертикально интегрировано 32 слоя ячеек. Плотность чипа — 128 Гбит.
Такая структура позволяет существенно повысить эффективность производства: более чем вдвое в расчете на одну пластину по сравнению с планарной трехбитной памятью, выпускаемой Samsung по технологии 10-нанометрового класса.
Память V-NAND первого поколения (24 слоя) компания Samsung представила в августе 2013 года, а второго поколения (32 слоя) — в мае 2014 года.
Выпуск новой памяти будет способствовать дальнейшему продвижению SSD на рынке потребительских ПК.
Источник: Samsung Electronics
