Компания Toshiba, недавно объявившая, что планирует перейти на выпуск памяти ReRAM только в 2020 году, продолжает раскрывать потенциал освоения более тонких технологических норм при производстве флэш-памяти. Японский производитель представил семейство встраиваемых накопителей на базе флэш-памяти, соответствующих спецификации eMMC v5.0. В модулях используются чипы памяти NAND, выпускаемые по 15-нанометровой технологии, которую Toshiba начала использовать в серийном производстве весной этого года. Помимо чипов памяти в корпусе FBGA с 153 выводами находится контроллер флэш-памяти.
Использование 15-нанометровых чипов позволило уменьшить размеры модулей примерно на 26% по сравнению с похожими изделиями из ассортимента Toshiba, в которых используется 19-нанометровая память (в зависимости от модификации и объема новые модули имеют размер от 11 x 10 x 0,8 до 11,5 x 13 x 1,4 мм). Кроме того, они превосходят предшественников по скорости чтения на 8% и по скорости записи на 20%.
Встраиваемые накопители eMMC поддерживают интерфейс HS-MMC с шириной шины x1, x4 или x8 и предназначены для использования в устройствах потребительской электроники, включая смартфоны и планшеты. Они рассчитаны на работу при температуре от -25°С до +85°С.
Пока начаты поставки ознакомительных образцов модулей объемом 16 ГБ. Позже компания рассчитывает начать поставку вариантов объемом 8, 32, 64 и 128 ГБ.
Источник: Toshiba
