На мероприятии VLSI 2014 японские исследователи из центрального национального университета вместе с их коллегами из американской компании Nantero продемонстрировали потенциал энергонезависимой памяти высокой плотности с произвольным доступом (NRAM), которая однажды может заменить память всех остальных типов, включая DRAM, SRAM и флэш-память.
Предметом рассмотрения является память, в которой используются углеродные нанотрубки. По быстродействию и плотности такая память существенно превосходит DRAM. Она потребляет гораздо меньше энергии, чем DRAM и флэш-память. При этом память NRAM устойчива к внешним воздействиям — низким и высоким температурам и магнитным полям. Будучи энергонезависимой, она хранит информацию в отсутствие питания.
Пока предметом разработки и изучения были ячейки размером 140 нм с временем записи 20 нс. Ресурс ячеек специалисты оценивают в 1011 циклов, что в 10 млн раз превосходит лучшие показатели флэш-памяти. По словам ученых, свойства нанотрубок позволяют реализовать многоуровневые ячейки, способные хранить больше одного бита информации.
Ознакомительные образцы новой памяти плотностью несколько мегабит уже находятся в распоряжении заказчиков Natero. В перспективе участники проекта планируют уменьшить размер ячейки примерно до 10 нм и создать массивы ячеек «гигабитного класса».
Источник: Tech-On!
