Компания ISSI объявила о начале поставок образцов микросхем памяти типа SDRAM DDR3 и DDR3L плотностью 8 Гбит. Микросхема DDR3 IS43TR16512A рассчитана на напряжение питания 1,5 В, а микросхема DDR3L IS43TR16512AL — на напряжение питания 1,35 В. Обе они имеют логическую организацию 512Mx16 и упакованы в корпуса типа BGA с 96 выводами. Основной область применения новых микросхем памяти производитель называет оборудование связи.
Память типа DDR3 сейчас можно встретить в самых разных компонентах коммуникационной инфраструктуры, включая базовые станции, оборудование оптических линий, маршрутизаторы и коммутаторы. По словам ISSI, появление в ассортименте компании микросхем плотностью 8 Гбит востребовано заказчиками, выпускающими коммуникационное и сетевое оборудование верхнего сегмента.
Кроме того, микросхемы ISSI IS43TR16512A и IS43TR16512AL могут быть востребованы в автомобильной, промышленной и медицинской электронике.
Источник: ISSI
