Компания Toshiba объявила о разработке первой в мире 15-нанометровой технологии полупроводникового производства, которая будет использоваться для выпуска чипов флэш-памяти типа MLC NAND плотностью 128 Гбит (16 ГБ). Массовое производство по новой технологии начнется в конце апреля на предприятии Fab 5 в Йоккаити на юго-востоке Японии. Новая технология здесь сменила 19-нанометровую технологию второго поколения, которая до настоящего момента была наиболее передовой в активе Toshiba. Сейчас на Fab 5 идет строительство второй линии, и там тоже будет внедрена новая технология.
Использование нового техпроцесса и улучшение периферийных цепей позволило Toshiba получить наименьший размер чипа в классе. По скорости записи новая память не отличается от памяти, выпускаемой по 19-нанометрвому техпроцессу второго поколения, а по скорости передачи данных, достигающей до 533 Мбит/с, превосходит ее в 1,3 раза.
Сейчас специалисты Toshiba работают на использованием 15-нанометровой технологии для выпуска памяти TLC NAND. Серийный выпуск этой памяти должен начаться в июне. Одновременно компания планирует предложить контроллеры для встраиваемых решений на базе флэш-памяти NAND и продукты на базе TLC NAND для смартфонов и планшетов, а впоследствии расширить приложение за счет SSD для ноутбуков и серверов.
Источник: Toshiba
