По сообщению компании SK Hynix, ей первой удалось создать модуль памяти объемом 128 ГБ, в котором используются компоненты DDR4 плотностью 8 Гбит, изготовленные по технологии 20-нанометрового класса.
Удвоить объем по сравнению с выпущенными ранее модулями объемом 64 ГБ удалось за счет применения в микросхемах памяти технологии межслойных соединений (Through Silicon Via, TSV).
Модуль работает со скоростью 2133 Мбит/с (в расчете на один разряд шины данных). Учитывая, что шина данных является 64-разрядной, несложно подсчитать, что пропускная способность модуля достигает 17 ГБ/с. Модуль рассчитан на напряжение питания 1,2 В.
К серийному выпуску модулей производитель намерен приступить в первой половине будущего года.
Источник: SK Hynix
