Компания Samsung объявила о начале серийного выпуска 20-нанометровых чипов памяти DDR3 плотностью 4 Гбит. Память, по словам производителя, предназначена «для использования в широком спектре вычислительных приложений». Для изготовления памяти используется иммерсионная литография.
На данный момент нормы 20 нм являются минимальными, освоенными в серийном производстве DRAM. Уменьшение этой памяти, каждая ячейка которой включает конденсатор и транзистор, дается сложнее по сравнению с флэш-памятью NAND, в ячейке которой нет конденсатора. Чтобы освоить более тонкие нормы техпроцесса в производстве DRAM, специалистами Samsung была разработана модифицированная технология экспонирования с двойным шаблоном и формирования атомарного слоя.
Эта технология, по словам производителя, является важной технологической вехой, поскольку позволяет выпускать 20-нанометровую память DDR3 с использованием имеющегося оборудования для фотолитографии и создает задел для технологии производства DRAM следующего поколения по нормам 10-нанометрового класса.
Кроме того, специалисты Samsung научились формировать беспрецедентно равномерные сверхтонкие диэлектрические слои конденсаторов, что позволило улучшить характеристики ячеек памяти.
Переход к нормам 20 нм при производстве DDR3 DRAM позволяет более чем на 30% увеличить объемы выпуска по сравнению с нормами 25 нм и более чем вдвое по сравнению с нормами 30-нанометрового класса.
Модули памяти DDR3, в которых используются новые чипы, по энергопотреблению выигрывают до 25% у модулей того же объема, в которых используются чипы предыдущего поколения, выпускаемые по нормам 25 нм.
Источник: Samsung Electronics
