Группа специалистов компаний Micron Technology и Sony создала микросхему памяти типа ReRAM (resistive random access memory) плотностью 16 Гбит, рассчитанную на выпуск по нормам 27 нм. Разработка была представлена на недавнем мероприятии ISSCC 2014.
По словам разработчиков, они видят место ReRAM в нише между DRAM и NAND. Дело в том, что им удалось создать более быстродействующую память, чем память ReRAM, показанная на ISSCC 2013 компаниями SanDisk и Toshiba и позиционируемая как замена NAND. Для сравнения: микросхема SanDisk и Toshiba в режиме чтения характеризуется задержкой 40 мкс, в режиме записи — 230 мкс, тогда как у микросхемы Micron и Sony эти параметры имеют значения 2 и 10 мкс соответственно.
Справедливости ради стоит сказать, что быстродействующая память ReRAM уже была создана ранее, но ее плотность была гораздо меньше. В данном случае, образно говоря, удалось совместить скорость DRAM и плотность NAND.
Когда память появится в серийных устройствах, разработчики не говорят, но Sony уже рассматривает возможные варианты ее применения.
Источник: Tech-On!
