Компания Samsung Electronics наращивает производство памяти DRAM с использованием 25-нанометрового технологического процесса, стремясь увеличить превосходство над Micron Technology и SK Hynix. Об этом сообщает источник, ссылаясь на данные отраслевых наблюдателей.
Компания Micron большинство чипов DRAM выпускает с использованием 30-нанометрового техпроцесса.
На фабрике Micron в Хиросиме, ранее принадлежавшей Elpida Memory и рассчитанной на пластины диаметром 300 мм, освоено производство по нормам 25 нм. Здесь выпускается память DRAM для мобильных устройств. Micron планирует до конца 2014 года перевести это производство и тайваньское дочернее предприятие Inotera Memories на 20-нанометровую технологию. Однако по оценке наблюдателей, маловероятно, что Micron полностью перейдет на нормы 20 нм до конца года.
Что касается SK Hynix, планы этой компании по освоению новых технологий сорвал пожар на фабрике по выпуску DRAM в Китае, случившийся в сентябре 2013 года. Основным для SK Hynix при выпуске DRAM остается 29-нанометровый техпроцесс.
Как мы уже сообщали, из-за пожара доля SK Hynix на рынке DRAM за квартал упала с 28,5% до 23,8%
Источник: DigiTimes
