Компания Intel в ходе недавнего мероприятия International Electron Devices Meeting (IEDM) 2013 рассказала о стратегии освоения технологических норм менее 10 нм. В компании рассчитывают использовать на следующем технологическом шаге, соответствующем длине затвора транзистора 9 нм или менее, туннельные полевые транзисторы, которые могут работать при напряжении питания менее 0,4 В.
В новых транзисторах может использоваться нанопроволочная структура, позволяющая получить увеличенный ток в открытом состоянии. Более того, если удастся использовать эффект туннельного резонанса, длину затвора можно будет сделать меньше 9 нм.
Специалисты Intel промоделировали поведение транзисторов с гетероструктурой из антимонида галлия (GaSb) и арсенида индия (InAs). Были опробованы резонансные туннельные транзисторы с двойным затвором и нанопроволочной структурой. Они имеют ряд преимуществ над традиционными транзисторами Si-MOSFET, что делает их перспективными для использования в качестве транзисторов со сверхнизким напряжением питания.
Моделирование показало, что перспективные транзисторы значительно превосходят Si-MOSFET по току в открытом состоянии. При этом нанопроволочная структура предпочтительна с технологической точки зрения по сравнению со структурой с двойным затвором.
Туннельный полевой транзистор GaSb/InAs с нанопроволочным каналом диаметром 3 нм примерно в 10-20 превосходит по току в открытом состоянии такой же кремниевый транзистор при напряжении питания менее 0,4 В. При этом крутизна его характеристики превосходит теоретически достижимую для Si-MOSFET.
Источник: Tech-On!
