Ученые из Новосибирского государственного университета (НГУ) создали новые материалы из кремний-германиевых стекол, которые могут стать основой для памяти будущего. Эти материалы предназначены для так называемых мемристоров — элементов памяти нового поколения, которые по многим параметрам лучше современной флеш-памяти, используемой в телефонах, компьютерах и USB-накопителях.
Мемристоры, разработанные в НГУ, могут выдерживать гораздо больше циклов записи и стирания данных, хранить больше информации и работать быстрее, чем флеш-память. Если флеш-память уже достигла своего предела и не может стать лучше, то мемристоры открывают совершенно новые возможности для хранения данных. Это значит, что устройства с такой памятью будут надежнее, долговечнее и эффективнее.
Команда НГУ стала первой в мире, кто обнаружил особый "эффект памяти" в кремний-германиевых стеклах и изучила их свойства, связанные с электричеством и светом. В будущем ученые планируют продолжить исследования, чтобы найти лучшие настройки для мемристоров, не создавая при этом их физические модели.
