Отраслевая ассоциация JEDEC опубликовала спецификации стандарта памяти HBM3.
Итак, к основным особенностям нового типа памяти относятся:
- Удвоение скорости передачи данных на вывод по сравнению с поколением HBM2 и определение скорости передачи данных до 6,4 Гбит/с, что эквивалентно 819 ГБ/с на устройство
- Удвоение количества независимых каналов с 8 (HBM2) до 16; с двумя псевдоканалами на канал, HBM3 фактически поддерживает 32 канала
- Поддержка 4-, 8- и 12-уровневых стеков TSV с возможностью будущего расширения до 16-уровневого стека TSV
- Повышенная энергоэффективность за счет использования сигналов low-swing (0,4 В) на интерфейсе хоста и более низкого (1,1 В) рабочего напряжения.
Компании Micron, SK Hynix и Synopsys уже выразили поддержку новому стандарту, но пока никто не оговорил, когда подобная память может появиться в серийных устройствах.
