В рамках международной конференции IEDM 2021 которая прошла на этой неделе компания Renesas Electronics объявила о разработке двух технологий, которые сокращают время подачи напряжения при операции записи в магниторезистивную память с произвольным доступом, в которой используется эффект передачи момента (STT-MRAM).
Как утверждается, в связи с ускоренным распространением IoT в последние годы возник большой спрос на снижение энергопотребления в микроконтроллерах, используемых в оконечных устройствах. MRAM требует меньше энергии для операций записи, чем флэш-память, и поэтому особенно хорошо подходит для приложений с частым обновлением данных. Однако по мере роста спроса на возможности обработки данных для микроконтроллеров возрастает потребность в улучшении баланса между производительностью и потребляемой мощностью. Поэтому дальнейшее снижение энергопотребления остается актуальной проблемой.
Первая технология, представленная Renesas, это схема записи с самоограничением с применением импульса нарастания, в которой импульс записи автоматически и адаптивно завершается в соответствии с характеристиками записи каждой ячейки памяти. Вторая технология определяет последовательность записи для оптимизации количества битов, к которым одновременно прикладывается напряжение записи.
На тестовой микросхеме со встроенным массивом ячеек памяти MRAM размером 20 Мбит, изготовленной с использованием 16-нанометрового техпроцесса, применяемого для изготовления логических микросхем с транзисторами FinFET, было подтверждено уменьшение энергии записи на 72% и сокращение времени подачи напряжения на 50%.
