Компания SK Hynix первой на рынке представила микросхемы памяти DDR5 плотностью 24 Гбит. Новые микросхемы будут производиться по техпроцессу 1anm, который представляет собой четвёртое поколение 10-нанометрового техпроцесса и подразумевает использование EUV-литографии.
Hynix говорит о улучшенной производственной эффективности, на 33% большей скорости и на 25% меньшем энергопотреблении. Самое важное — новые микросхемы позволяют создавать модули памяти объёмом 48 и 96 ГБ. Именно такие решения первыми получат новые микросхемы, но, само собой, это продукция для ЦОД, а не для потребительского сегмента. Кроме того, подобные модули будут ориентированы на высокопроизводительные серверы для обработки больших данных, работы с ИИ и так далее.
