Компания Etron Technology привезла на открывающуюся в ближайшее время выставку Computex Taipei 2013 контроллер флэш-памяти для накопителей с интерфейсом USB 3.0, получивший обозначение EV26699.
По словам Etron, контроллер EV26699 демонстрирует лучшие в мире показатели скорости чтения и записи (в своей категории, конечно): в режиме чтения — до 320 МБ/с, в режиме записи — до 280 МБ/с.
В EV26699 используется двуканальная схема и 72-разрядный код обнаружения и коррекции ошибок. Контроллер рассчитан на флэш-память типа NAND различных производителей, изготавливаемую по технологическим нормам 2x и 1x нм. Приведенные выше показатели скорости передачи соответствуют памяти типа SLC NAND. В случае флэш-памяти типа MLC NAND максимальная скорость чтения достигает 300 МБ/с, скорость записи — 280 МБ/с. Контроллеры EV26699 поддерживают режимы 16CE (Channel Enable) и 8CE. Они выпускаются в 88-контактных и 64-контактных корпусах типа QFN.
Источник: Etron
