Корпорация SanDisk, являющаяся одним из лидеров рынка флэш-памяти, сегодня объявила о начале поставок клиентам ознакомительных образцов продукции, в которой используется флэш-память, изготовленная по нормам 19 нм с использованием техпроцесса 1Ynm второго поколения.
Специалистам SanDisk удалось уменьшить размеры ячейки памяти с 19 х 26 нм до 19 х 19,5 нм, что соответствует уменьшению площади ячейки памяти на 25%.
По словам производителя, в 19-нанометровых чипах флэш-памяти SanDisk второго поколения используются самые передовые разработки, включая архитектуру All-Bit-Line (ABL) с фирменными алгоритмами программирования и схемами управление многоуровневым хранением данных. Как утверждается, это помогло получить многоуровневую (MLC) флэш-память типа NAND высокой плотности, не жертвуя производительностью и надежностью. Кроме того, реализованная в 19-нанометровых чипах второго поколения технология хранения SanDisk X3, позволяющая записать три бита в одну ячейку, позволит получить самую дешевую флэш-память на рынке.
В числе областей применения флэш-памяти SanDisk названы мобильные телефоны, планшеты, твердотельные накопители потребительского и корпоративного уровня, бытовая электроника.
Источник: SanDisk
