Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного производства полупроводниковой продукции на новой линии, расположенной в Хвасоне, Корея.
Производственная линия V1 стала первой линией Samsung, специализирующейся на выпуске продукции исключительно с применением EUV-литографии с технологических норм 7 нм и менее. Она была заложена в феврале 2018 года, а к тестовому производству приступила во второй половине прошлого года. Первые партии серийной продукции, изготовленной на этой линии, будут отгружены заказчикам в текущем квартале.
Сейчас здесь выпускают микросхемы для мобильных устройств по нормам 7 нм и 6 нм. Со временем производитель рассчитывает освоить и более тонкие нормы — вплоть до 3 нм.
Согласно планам Samsung, к концу 2020 года в линию V1 будет суммарно инвестировано 6 млрд долларов США, а общий объем производства продукции по нормам 7 нм и менее увеличится втрое по сравнению с 2019 годом.
С учетом линии V1 в распоряжении Samsung есть шесть полупроводниковых производств в Южной Корее и в США. Пять из них рассчитаны на подложки диаметром 300 мм, оставшаяся — на подложки диаметром 200 мм. На этой линии продукция выпускается по нормам 65-180 нм. Линия S1 выпускает продукцию по нормам 8-65 нм, S2 — 11-65 нм, S3 — 10 нм, S4 — 65 нм.
