Компания Globalfoundries (GF) объявила о выпуске чипа высокой плотности с объемной компоновкой, построенного на архитектуре Arm. Как утверждается, он обеспечит «новый уровень системной производительности и энергетической эффективности для вычислительных приложений, таких как искусственный интеллект, машинное обучение, потребительские мобильные и беспроводные решения».
Новый чип изготовлен с использованием 12-нанометровой технологии FinFET компании GF, оптимизированной по критерию производительности (Leading-Performance или 12LP). В нем использована технология Arm Mesh Interconnect, позволяющая соединить ядра кратчайшим путем, сводя к минимуму задержки и увеличивая скорости передачи данных.
Партнеры проверили технологию 3D Design-for-Test (DFT), построенную на использовании разработанного специалистами GF гибридного соединения между пластинами, которое позволяет формировать до 1 млн соединений на 1 мм2.
