Компания SK Hynix объявила о начале серийного выпуска первых в мире кристаллов 128-слойной флеш-памяти типа TLC 4D NAND плотностью 1 Тбит. Такой кристалл представляет собой наиболее сложное изделие в своем роде: он насчитывает более 360 миллиардов ячеек, каждая из которых хранит три бита.
Производитель отмечает, что это не первые кристаллы флеш-памяти плотностью 1 Тбит, но ранее речь шла о памяти QLC NAND, в каждой ячейке которой хранится четыре бита.
Основным преимуществом памяти, которую SK Hynix называет 4D NAND, является повышенная плотность компоновки. Она достигается за счет вертикальной интеграции не только ячеек памяти с ловушкой заряда (CTF), но и периферийных цепей, размещаемых в подлежащем слое (эту технологию обозначают аббревиатурой PUC — от Peri. Under Cell).
Примечательно, что за счет использования готовой платформы 4D и оптимизации процессов производителю удалось сократить общее количество производственных процессов на 5%, а инвестиционных затрат на переход с 96-слойной памяти к 128-слойной — на 60%. В то же время, как несложно посчитать, информационная емкость в расчете на пластину увеличилась на 40%.
Поставки новой памяти SK Hynix обещает начать во втором полугодии. Высокая скорость в сочетании с низким энергопотреблением — 1400 Мбит/с при напряжении питания 1,2 В — позволяет использовать новую память как мобильных устройствах, так и в корпоративных твердотельных накопителях.
В первом полугодии 2020 года SK Hynix планирует разработать на базе новой памяти модуль UFS 3.1 объемом 1 ТБ для флагманских смартфонов и начать серийный выпуск SSD объемом 2 ТБ с контроллером и программным обеспечением собственной разработки. В будущем году также должны быть готовы SSD объемом 16 и 32 ТБ для облачных дата-центров.
Кроме того, SK Hynix продолжает разработку 176-слойной флеш-памяти NAND следующего поколения.
