По оценке компании Intel, уже в 2014 году DDR4 станет основным типом памяти DRAM, а к 2015 году эта память практически полностью вытеснит используемую сейчас память DDR3.
Кроме того, в Intel уверены, что доля памяти DRAM для мобильных устройств в ближайшие годы продолжит расти (в терминах объема) вследствие растущего спроса на планшеты и смартфоны.
Производители начнут предлагать ознакомительные образцы модулей DDR4 уже в этом году. По данным Intel, DDR4 потребляет на 35% меньше энергии, чем DDR3L, а по пропускной способности превосходит память предыдущего поколения на 50%.
Основное отличие DDR4 заключается в удвоенном до 16 числе банков, что позволило вдвое увеличить скорость передачи — до 3,2 Гбит/с. Пропускная способность памяти DDR4 достигает 34,1 ГБ/c (в случае максимальной эффективной частоты 4266 МГц, определенной спецификациями). Кроме того, повышена надежность работы за счет введения механизма контроля четности на шинах адреса и команд.
По прогнозу IHS iSuppli, доля DDR4 на рынке DRAM в 2014 составит 23%, в 2015 — 45%.
Организация JEDEC завершила разработку спецификаций DDR4 в сентябре прошлого года. Ожидается, что спецификации варианта LPDDR4 для мобильных устройств будут готовы к концу текущего года.
Источник: Cdrinfo.com
