Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска по нормам 10-нанометрового класса микросхем флэш-памяти плотностью 128 Гбит, способных хранить в каждой ячейке по три бита информации (MLC NAND). Микросхемы предназначены для использования во встроенной памяти электронных устройств и в твердотельных накопителях.
По словам производителя, достигнута не только максимальная по отрасли плотность хранения, но и максимальная скорость. Новая память поддерживает передачу данных по интерфейсу Toggle DDR2 со скоростью 400 Мбит/с.
Появление новых чипов позволит Samsung нарастить поставки карт памяти объемом 128 ГБ, а также твердотельных накопителей объемом более 500 ГБ.
Отметим, что выпуск памяти MLC NAND плотностью 64 Гбит по технологии 10-нанометрового класса южнокорейский производитель освоил всего пять месяцев назад.
Источник: Samsung
