Как мы уже сообщали, компания TSMC в апреле представила техпроцесс N6. В нем применяется литография в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV) и нормы 6 нм. По сравнению с техпроцессом N7, которым предусмотрено применение норм 7 нм, новый техпроцесс обеспечивает повышение плотности транзисторов на кристалле на 18%.
В компании ожидают, что большинство клиентов техпроцесса N7 перейдут на техпроцесс N6, поскольку переход упрощает значительная совместимость на этапе проектирования. При этом сохраняются инвестиции, вложенные в инструментарий для разработки продукции под техпроцесс N7.
Достоинством N6 является упрощение процесса производства — за счет EUV уменьшается число масок и этапов экспонирования. В N7 используется только литография в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (DUV), но компания также предлагает техпроцесс N7+, в котором до четырех слоев может быть сформировано с применением EUV. Техпроцесс N6 увеличивает максимальное число таких слоев до пяти, а перспективный техпроцесс N5 — до четырнадцати.
