Компания Toshiba Memory Corporation объявила о разработке микросхемы моста, которая позволяет увеличить скорость и емкость твердотельных накопителей.
Такие микросхемы, занимающие небольшую площадь на печатной плате и имеющие низкое энергопотребление, дают возможность подключить к контроллеру больше микросхем флэш-памяти, используя меньшие высокоскоростных сигнальных линий, чем при обычном подключении.
В SSD к контроллеру подключено несколько микросхем флэш-памяти. Увеличивая объем SSD за счет числа микросхем памяти, конструкторы сталкиваются с проблемой — чтобы не снижалась скорость, необходимо увеличивать и количество высокоскоростных сигнальных линий интерфейса, что усложняет топологию платы.
Специалисты Toshiba Memory Corporation преодолели эту проблему с помощью мостовой микросхемы, которая соединяет контроллер и микросхемы флэш-памяти закольцованной цепочкой. Второе новшество заключается в использовании амплитудной модуляции импульсов (PAM4), третье — в приемах уменьшения джиттера, позволивших отказаться от цепей ФАПЧ. В результате уменьшаются накладные расходы, связанные с включением мостов, появляется возможность работать с большим количеством микросхем флэш-памяти на высокой скорости по меньшему числу высокоскоростных сигнальных линий.
По 28-нанометровому техпроцессу были изготовлены прототипы. Тестирование в конфигурации с одним контроллером и четырьмя мостами подтвердили ожидания — была получена скорость 25,6 Гбит/с при вероятности ошибки менее 10-12.
