Компания Micron Technology объявила о начале серийного производства микросхем памяти LPDDR4x DRAM плотностью 12 Гбит. По словам производителя, это максимальная плотность для «монолитных» микросхем — она вдвое превышает показатель микросхем, выпускавшихся до настоящего момента. К тому же новые микросхемы являются самыми быстрыми и имеют низкое энергопотребление — на 10% меньше по сравнению с предыдущим поколением (при той же скорости передачи данных 4266 Мбит/с).
Используя микросхемы плотностью 12 Гбит, можно удвоить объем ОЗУ смартфона или планшета, не увеличивая место, занимаемое ими на печатной плате. Увеличенный объем памяти востребован в связи с популяризацией приложений, работающих с большими объемами данных, включая приложения искусственного интеллекта и расширенной реальности. Также мобильные устройства нового поколения часто оснащены камерами из нескольких модулей высокого разрешения, которым тоже необходимо больше ОЗУ. Наконец, ожидается, что развертывание мобильных технологий 5G тоже повысит требования к объему и быстродействию памяти смартфонов.
Микросхемы LPDDR4x DRAM выпускаются по технологии 10-нанометрового класса (1Y-nm).
