Компания Samsung Electronics объявила о завершении разработки технологического процесса 7LPP и начале производства полупроводниковой продукции с его использованием. Этот 7-нанометровый техпроцесс, оптимизированный по критерию энергопотребления, построен на использовании литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
По словам одного из руководителей Samsung, внедрение 7LPP — «тихая революция в полупроводниковой отрасли». Она продемонстрировала не только текущие возможности компании, но и открыла путь к нормам 3 нм.
В широко используемой сейчас иммерсионной литографии используется источник излучения с длиной волны 193 нм, а в литографии EUV — с длиной волны 13,5 нм. В результате при EUV можно использовать одну маску для слоя там, где в иммерсионной литографии необходим дорогостоящий набор, включающий до четырех масок. Уменьшение числа масок позволяет экономить время и снизить затраты, а также повысить процент выхода годной продукции.
EUV также обеспечивает уменьшение размеров изделия при одновременном повышении производительности или уменьшении потребляемой мощности. По сравнению с 10-нанометровым предшественником выигрыш при использовании 7LPP по перечисленным критериям может достигать 40%, 20% и 50% соответственно.
Samsung подчеркивает, что партнеры по экосистеме также полностью подготовлены для внедрения 7LPP с EUV. Заказчикам доступны средства проектирования, библиотеки стандартных элементов, сервисы тестирования и упаковки изделий в корпуса.
