Компания TSMC сообщила о завершении подготовки к передаче в производство первой микросхемы, которая будет изготавливаться по нормам 5 нм с частичным использованием литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV).
В апреле будущего года должно начаться рисковое производство 5-нанометровой продукции с полным использованием EUV по техпроцессу N5.
В N5 число слоев, формируемых с применением EUV, может достигать 14. Применяя EUV, можно уменьшить количество масок, по сравнению с используемой сейчас иммерсионной литографией с многократным шаблонированием, что должно снизить стоимость производства.
По оценке TSMC, переход на N5 обеспечивает прирост скорости на 14,7-17,7% и уменьшение площади в 1,8-1,86 раза по сравнению с предшествующим технологическим этапом. Эти показатели получены при тестировании ядра ARM Cortex-A72.
Кроме того, компания TSMC подготовила к производству изделие заказчика, рассчитанное на техпроцесс N7+, в котором с применением EUV может быть сформировано до четырех слоев.
Шаг N7+ отличается от N7 повышенной плотностью размещения металлических проводников. Плотность транзисторов в случае N7 в 16,8 раза выше, чем в случае 40-нанометрового техпроцесса TSMC.
