Компания Everspin Technologies, не так давно объявившая о выпуске первых микросхем магниторезистивной памяти ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive RAM) для высокопроизводительных систем хранения, снова расширила свой ассортимент.
Плотность новых микросхем энергонезависимой памяти, получивших обозначение MR10Q010, равна 1 Мбит. Они оснащены интерфейсом Quad SPI, объединяющим четыре линии последовательного ввода-вывода. По словам производителя, сочетание Quad SPI и памяти типа MRAM позволило получить очень высокую скорость записи без задержек, характерных для флэш-памяти и памяти EEPROM. Работая на тактовой частоте 104 МГц, новая память характеризуется пропускной способностью чтения и записи 52 МБ/с. MR10Q010 поддерживает полный набор команд Quad SPI, включая операции быстрого чтения и записи, при которых адрес и данные передаются по всем четырем линиям для уменьшения числа тактов синхронизации.
Использование последовательного интерфейса позволяет обойтись меньшим числом выводов, уменьшить размеры корпуса микросхемы, упростить топологию печатных плат. Микросхемы MR10Q010 выпускаются в стандартных корпусах SOIC с 16 выводами, тогда как в случае параллельного интерфейса понадобилось бы 20 выводов.
Поставки ознакомительных образцов Everspin обещает начать во втором квартале.
Источник: Everspin Technologies
