Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о начале массового производства первых в индустрии модулей оперативной памяти DDR4 SoDIMM, которые создаются на базе 10-нанометрового технологического процесса. Новинки предназначены для высопроизводительных ноутбуков.
Модули памяти включают 16 микросхем DDR4 DRAM плотностью 16 Гбит (2 ГБ), расположенных по 8 с каждой стороны. Компания Samsung выпустила модули памяти SoDIMM объемом 16 ГБ в 2014 году, при их производстве применялся 20-нанометровый технологический процесс. Новая памяти, предлагая пользователям вдвое больший объем, также обеспечивает прирост скорости на 11% и снижение энергопотребления на 39%.
Суммарная мощность работы двух подобных модулей, установленных в игровом ноутбуке, в активном режиме не превышает 4,6 Вт. В режиме ожидания — 1,4 Вт.
Кромое того, новые модули оперативной памяти Samsung DDR4 SoDIMM объемом 32 ГБ обеспечивают игровые ноутбуки скоростью до 2666 Мбит/с.
