Китайские компании Semiconductor Manufacturing International (SMIC) и Huali Microelectronics, выпускающие полупроводниковую продукцию, готовятся к переходу на технологические нормы менее 10нм.
По сообщению источника, компания SMIC уже заказала у ASML комплект оборудования для литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV) стоимостью почти 120 млн долларов. Крупнейший китайский производитель полупроводниковых изделий планирует в первой половине 2019 года начать рисковое производство по 14-нанометровой технологии FinFET и перейти к использованию EUV при освоении норм 7 нм. Ожидается, что SMIC получит указанное оборудование в начале 2020 года, что позволит перейти к практическому воплощению этих планов. Объем капвложений на текущий год уже увеличен с 1,9 до 2,3 млрд долларов. Средства будут направлены на активизацию НИОКР, приобретение оборудования и наращивание мощностей.
Компания Huali установила систему иммерсионной литографии ASW TWINSCAN NXT: 1980Di на новой фабрике FAB6, рассчитанной на пластины диаметром 300 мм. Это оборудование будет использоваться для выпуска продукции по 14-нанометровой технологии FinFET. Плановая производительность FAB6 — 40 000 пластин в месяц. Проект обойдется Huali более чем в 6 млрд долларов. Пилотное производство на FAB6 должно быть запущено к концу текущего года. Это предприятие планируется занять выпуском логических ИС по нормам 28 нм, 14 нм и менее.
Кроме того, и компания Yangtze Memory Technologies (YMTC), принадлежащая государственной корпорации Tsinghua Unigroup, рассчитывает построить три фабрики по выпуску флэш-памяти 3D NAND. Общая стоимость этого проекта — 24 млрд долларов. На первой фабрике уже установлена система иммерсионной литографии с длиной волны источника 193 нм. Фабрика будет выпускать продукцию по нормам 20 нм и 14 нм.
