Компании Micron Technology и Intel объявили о начале поставок первой в отрасли флэш-памяти типа NAND, способной хранить в каждой ячейке 4 бита (QLC NAND). Кристаллы QLC NAND с 64-слойной структурой характеризуются наибольшей в мире плотностью 1 Тбит.
Кроме того, партнеры объявили о прогрессе в разработке трехмерной структуры NAND третьего поколения, состоящей из 96 слоев. За счет увеличения числа слоев удается повышать удельную плотность хранения в расчете на единицу площади кристалла.
В обоих случаях (64-слойной памяти QLC NAND и 96-слойной TLC NAND) используется техпроцесс CuA (CMOS under the array), позволяющий уменьшить размеры кристалла и повысить производительность по сравнению с конкурирующими подходами.
По словам Intel, память QLC NAND хорошо подойдет для облачных рабочих нагрузок с интенсивным чтением, для потребительских и клиентских вычислительных приложений.
