Переход от планарной компоновки к объемной позволяет повысить степень интеграции. В случае флэш-памяти освоение выпуска 3D NAND привело к существенному увеличению плотности чипов и снижению удельной стоимости. По мере увеличения числа слоев цена за единицу информационного объема неуклонно снижается при прежнем расходе пластин.
Выступая на международном семинаре по памяти, представитель компании Applied Material сказал, что производитель продолжат увеличивать число слоев. К 2021 году число слоев флэш-памяти 3D NAND достигнет 140. Для сравнения: сегодня массово выпускаются 64-слойные микросхемы.
Одновременно с увеличением количества слоев совершенствуется технология, позволяя уменьшать их толщину. Уже в этом году число слоев будет увеличено до 90 при уменьшении толщины слоя с 60 до 55 нм. Однако дальнейший прогресс потребует применения новых материалов.
