По данным отраслевых источников, ведущие производители флэш-памяти, включая Samsung Electronics, Toshiba, Micron Technology и SK Hynix, расширяют соответствующие производственные мощности. В результате объем выпуска флэш-памяти NAND существенно увеличится уже в будущем году.
Компания Samsung рассказала о намерении инвестировать 7 млрд долларов в расширение производственных мощностей на своей фабрике флэш-памяти NAND в Китае еще в августе 2017 года. Эта сумма будет выделена в течение трех лет, но первая новая линия начнет выпуск продукции уже в 2019 году. Она будет выпускать фирменную флэш-память с объемной компоновкой V-NAND.
Компания Toshiba строит в Японии фабрику Fab 6, которая тоже должна начать выпуск продукции в 2019 году. Дальнейшее расширение будет обеспечено вводом в строй фабрики Fab 7. По прогнозу DRAMeXchange, это предприятие будет готово к серийному выпуску продукции во второй половине 2019 года. Основным видом продукции здесь будет 96-слойая память 3D NAND.
Компания Micron Technology расширяет существующую фабрику в Сингапуре. Опять-таки, ожидается, что новые мощности заработают к концу 2019 года.
Компания SK Hynix строит новую фабрику M15 в Южной Корее. Ожидается, что это предприятие начнет функционировать в 2019 году.
Наконец, китайская компания Yangtze Memory Technologies (YMTC) планирует начать выпуск флэш-памяти 3D NAND во второй половине 2018 года. Первое время это будут 32-слойные микросхемы, а позже — 64-слойные.
