На завершившейся вчера конференции International Solid-State Circuits Conference (ISSCC) 2018 компания Samsung рассказала об освоении технологии литографии в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). Южнокорейский производитель рассчитывает внедрить ее при переходе на выпуск полупроводниковой продукции по нормам 7 нм. Говоря более точно, компания уже разработала микросхему SRAM плотностью 256 Мбит, рассчитанную на изготовление по 7-нанометровой технологии EUV. Площадь одной ячейки в этом кристалле составляет 0,026 мм².
Специалистам Samsung удалось преодолеть одно из сложнейших препятствий, возникающих при уменьшении размеров ячейки: увеличение сопротивления шины разряда. Разработанная ими технология позволяет снизить сопротивление на 75%. Кроме того, примерно на 20% удалось скомпенсировать проблемы, связанные с разбросом минимального уровня напряжения.
Когда Samsung приступит к коммерческому использованию EUV — пока неизвестно.
