Компания Everspin Technologies, специализирующаяся на выпуске микросхем магниторезистивной памяти ST-MRAM (Spin-Torque Magnetoresistive RAM), сообщила, что в минувшем квартале она получила первый доход, связанный с серийным выпуском 40-нанометровой памяти ST-MRAM.
Речь идет о микросхемах плотностью 256 Мбит Everspin, объемы выпуска которых будут увеличены в текущем году. Эта память оснащена интерфейсом ST-DDR3.
К достоинствам памяти MRAM относится способность хранить информацию в отсутствие питания, высокое быстродействие и большая долговечность (в отличие от флэш-памяти износ при записи практически отсутствует).
По словам компании Everspin, хотя разработку памяти MRAM ведут и другие компании, ей первой удалось освоить серийное производство ST-MRAM. Кроме того, только Everspin предлагает ST-MRAM в качестве самостоятельных изделий и в виде встраиваемой памяти.
Производственным партнером Everspin является Globalfoundries.
