Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых в мире микросхем памяти Graphics Double Data Rate 6 (GDDR6) плотностью 16 Гбит (2 ГБ), которые предназначены для использования в графических ускорителях следующего поколения, а также в беспилотных автомобилях и системах искусственного интеллекта.
Производство ведется с использованием 10-нанометрового технологического процесса. Новые микросхемы вдвое превосходят по плотности 8-гигабитные микросхемы GDDR5, которые производятся с использованием 20-нанометрового технологического процесса.
Микросхемы Samsung GDDR6 обеспечивают скорость передачи информации 18 Гбит/с на контакт, то есть суммарную скорость 72 ГБ/с. Учитывая скорость передачи данных 8 Гбит/с на контакт у GDDR5, прирост получается более чем двукратный.
Что немаловажно, память GDDR6 потребляет на 35% меньше энергии, так как ее рабочее напряжение составляет 1,35 В против 1,55 В у GDDR5.
