Китайская государственно-частная компания Tsinghua Unigroup, несколько лет назад объявившая о намерении до 2020 года войти в тройку крупнейших производителей полупроводниковой продукции, подписала соглашение о стратегическом сотрудничестве с банком Нинкина. Это соглашение позволит начать строительство завода стоимостью 30 млрд долларов, который будет выпускать микросхемы памяти DRAM и 3D NAND.
Проектная производительность первой очереди предприятия составляет 100 000 пластин в месяц. Ввод в строй второй очереди удвоит производительность. В денежном выражении в Tsinghua Unigroup рассчитывают на годовые продажи с размере 4,8 млрд долларов на первом этапе и в размере 10 млрд долларов — на втором. Проектом предусмотрено создание городка для зарубежных специалистов, в котором будут расположены жилые дома, магазины, предприятия сферы услуг, школы и исследовательский центр. О сроках реализации проекта пока данных нет.
