По данным источника, компании Globalfoundries и Samsung следуют намеченным планам, согласно которым, до конца этого года оба производителя рассчитывают выпустить свои первые 14-нанометровые чипы, опередив в освоении технологических норм компанию TSMC.
Чтобы ускорить освоение 14-нанометровой технологии, участники альянса Common Platform — IBM, Globalfoundries и Samsung — договорились, что успехи, достигнутые на тестовом производстве IBM в Олбани, будут немедленно переноситься на производства партнеров.
Компания Samsung, выступая контрактным производителем полупроводниковой продукции, собирается выпустить тестовые образцы 14-нанометровых изделий для своих заказчиков в апреле и сентябре.
Тем временем компания IBM подготовила место для установки литографического оборудования, работающего в жестком ультрафиолетовом диапазоне (EUV). С использованием EUV-литографии связаны перспективы освоения более тонких норм техпроцесса.
Члены Common Platform полагают, что технология EUV будет использоваться для технологических норм 7 нм и менее. Они признают, что на этом пути есть немало трудностей, но считают, что у отрасли нет альтернатив.
В частности, разработчикам уже удалось повысить мощность лазера EUV до 30 Вт, но для практического использования необходимо достичь уровня 250 Вт. Есть и другие проблемы: с фоторезистом, с дефектами масок, с процессом технического контроля продукции.
Некоторые наработки этапов 14 нм и 10 нм могут быть использованы при переходе к нормам 7 нм, например, улучшения в процессах двукратного формирования структур. Предполагается, что они уменьшат потребность в трехкратном и четырехкратном формировании.
Считается, что освоение EUV откроет путь к переходу на использование 450-миллиметровых пластин, так как при существующей технологии иммерсионной литографии сложнее окупить затраты, связанные с использованием пластин большего диаметра (напомним, сейчас отрасль использует пластины диаметром 300 мм и меньше). По оценке IBM, переход к 450-миллиметровым пластинам состоится примерно в 2020 году.
Источник: EE Times
